Запорожец  Издания 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 [ 57 ] 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193

R2 = 115 мВ/10 мкА = 11,5 кОм. Отсюда следует, что расчет этой схемы очень похож на расчет простого источника для низких уровней тока, приведенный выше.

Диапазон линейного изменения напряжения. Чтобы источник тока отрицательной полярности работал в диапазоне линейного


Рие. 3,11. Составной источник тока отрицательной полярности (исгочннк тока,

смещенный другим источником тока).

изменения напряжения, все транзисторы в схеме должны быть в активном режиме. Нижняя граница диапазона линейного изменения напряжения равна

Vu = V- + Vbe, + Vbe, + Vbe, + Vcb sat, =

=-15 + 3-0,7-0,5 =-13,4 B. (3.38)

Значит, диапазон линейного изменения напряжения сдвинут на 1,6 В по отношению к отрицательному напряжению питания. Верхняя граница диапазона линейного изменения напряжения определяется напряжением пробоя коллектор - база транзистора Qi.

Vui = BVcBo, + 3Vbe + V-. (3.39)

Для напряжения пробоя 50 В это дает

Vui = 50 + 2,1 - 15 = +37,1 В. (3.40)



Динамическая выходная проводимость источника тока отрицательной полярности, смещенного таким же источником. Основное отличие источника тока, смещенного таким же источником, от простых схем источников тока в его очень низкой выходной проводимости. Это отличие определено очень высоким импедансом включенного последовательно с эмиттером транзистора Qj, который служит выходным импедансом транзистора Q.

Из уравнения для выходной, или коллекторной, проводимости транзистора

У А 1 + (/е/г)[2£+(2£ + 2в)/р]

следует, что в предельном случае, когда становится очень большим, gc стремится к (/с/1а)/Р- Это примерно соответствует рассматриваемому здесь случаю, поэтому схема характеризуется очень малой динамической проводимостью.

Если принять, что типичное значение = 250 В, а р = 100, получим

go » (JclVM = (10 мкА/250 В)/100 = 0,4 нА/В = 0,4 нСм. (3.42) Соответствующее значение для Гд = \lgo = 1/(0,4 нСм) = = 2,5 ГОм. Изменение Vq на 1 В приводит к изменению Iq на

(1 о) {dloldVo) X 100 о/о = 0,004 о/о/В. (3.43)

Следовательно, выходной ток лежит в диапазоне линейного изменения напряжения, и эта схема является хорошим приближением к идеальному источнику тока.

Динамическая выходная комплексная проводимость. Очевидно, что лишь на низких частотах динамическая выходная активная проводимость источника тока отрицательной полярности имеет очень низкое значение. При переходе к более высоким частотам следует принимать во внимание паразитные емкости в схеме и, следовательно, рассматривать динамическую выходную комплексную проводимость источника тока отрицательной полярности f/o = go + /(oCtot- Если ИС-транзистор имеет емкость коллектор - база 1 пФ и емкость коллектор-подложка Сса = 2 пФ, то полная емкость Ctot в коллекторе транзистора Qj равна Ctot = = 3 пФ. Выходная комплексная проводимость имеет вид

= ёо + /(oCtot = 0,4 нСм + /О).3,0 пФ. (3.44)

Частота в точке пробоя /ьр для комплексной проводимости определяется выражением

/ьр = Ы(2дСш) = 21 Гц. (3.45)

Следовательно, только для частот ниже 10 Гц выходная проводимость uq та gg 0,4 нСм. Выше 50 Гц преобладающий



вклад в выходную комплексную проводимость вносит реактив-Бая составляющая /(oCtot- Например, при / = 1 кГц выходная комплексная проводимость равна уо = /19 нСм, а динамический выходной импеданс равен -/53 МОм. При / = 1 МГц соответствующие значения будут уо = +/19 мкСм и 2о = -/53 кОм.

3.1.7. Схема из нескольких источников тока отрицательной полярности. На рис. 3.12 показана схема из нескольких источ-

J Рнс. 3.12. Схема из нескольких источников тока отрицательной полярности.

НИКОВ тока отрицательной полярности (групповая схема). Транзистор Qa и резистор служат опорными источниками тока для транзисторов Qg-Q. Заметим, что поскольку базы транзисторов Qi-Qu соединены, все транзисторы имеют одинаковое базовое напряжение. Кроме того, нижние выводы резисторов R.-Re подсоединены к одному и тому же источнику отрицательного напряжения питания.

Если размеры эмиттеров транзисторов -Qe подобраны так, что плотность тока во всех этих транзисторах одна и та же, то падение напряжения между базой и эмиттером Vbe для указанных транзисторов будет одинаково. В результате будут совпадать падения напряжения на резисторах R2-Re- Поскольку коллекторные и эмиттерные токи приблизительно равны и падение напряжения на всех указанных резисторах одинаково, можно утверждать, что IR = IR = hRb = /вв = hRi, т. е. токи обратно пропорциональны эммиттерным сопротивлениям.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 [ 57 ] 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193