 |
 |
 |
 |
Connelly J. A. Analog Integrated Circuits, Wiley, 1975, Egan W. F. Frequency Synthesis by Phase-Lock, Wiley, 1981. Gardner F. M. Phasclock Techniques, Wiley, 1979.
Glaser A. В., Subak-Sharpe G. E. Integratea Circuit Engineering, Addison-Wesley, 1977.
Grebene A. B. Analog Integrated Circuit Design, Van Nostrand Reinhold, 1972, Klapper J., Frankle J. T. Phase-Locked and Frequency Feedback Systems, Academic Press, 1972.
Krauss H. L., Bostian С W., Raab F. H. Solid State Radio Engineering, Wiley, 1980.
Lenk J. D. Handbook of Integrated Circuits, Reston, 1978. Stout D. F. Handbook of Microcircuit Design and Applications, McGraw-Hill, 1980.
United Technical Publications, Modern Applications of Integrated Circuits, TAB Books, 1974.
Умножители, делители и функциональные генераторы
Closer А. В., Subak-Sharpe G. Е. Integrated Circuit Engineering, Addison-Wesley, 1977.
Grebene A. B. Analog Integrated Circuit Design, Van Nostrand Reinhold, 1972. Имеется перевод; Гребен A. Б, Проектирование аналоговых интегральных схем.-М.; Энергия, 1976.)
Lenk J. D. Handbook of Integrated Circuits, Reston, 1978.
Mitra S. K- An Introduction to Digital and Analog Integrated Circuits and Applications, Harper and Row, 1980.
Stout D. F. Handbook of Microcircuit Design and Applications, McGraw-Hill, 1980.
United Technical Publications, Modern Applications of Integrated Circuits, TAB Books, 1974.
Wong Y. J., Oil W. t. Function Circuits, McGraw-Hill, 1976.
Интегральные датчики давления, температуры и магнитного поля
Chien С. L., Weblgate С. R. The Hall Effect and Its Applications, Plenum Piess, 1980.
Garrett P. H. Analog I/O Design, Reston, 1981.
Pulley E. H. The Hall Effect and Related Phenomena, Butterworth, 1960. Sachse H. Semiconducting Temperature Sensors and Their Application, Wiley, 1975.
Surina Т., Herrick C. Semiconductor Electronics, Holt, Rinehart, and Winston, 1964.
Timko M. P. «А Two-Terminal Temperature Transducer*, IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. SC-11, No. 6, pp. 784-788, Desember, 1976.
United Technical Publications, Modern Applications ol Integrated Circuits, TAB Books, 1974.
Wolf H. F. Semiconductors, Chaps. 1 and 3, Wiley, 1971.
Аналоговые ключи, схемы выборки и хранения
Connelly J. А. Analog Integrated Circuits, Wiley, 1975.
Lenk J. D. Handbook of Electronic Circuit Dpsign, Prentice-Hall, 1976.
Lenk J. D. Manual for M. O. S. Users, Reston, 1975.
Mires B. D-C Amplifiers, Chap. 6, Butterworth, 1969.
Mitra S. K. An Introduction to Digital and Analog Integrated Circuits and Applications, Harper and Row, 1980.
Пхпег Е. S. Power FETs and Their Applications, Chap. 9. Prentice-Hall, 1982. Stout D. F. Handbook of Microcircuit Design and Applications, McGraw-Hill,
TaubH-, Schilling D. Digital Integrated Circuits, Chap. 13, McGraw-Hill, 1977. United Technical Publications. Modern Applications of Integrated Circuits, TAB Books, 1974.
Приборы с переносом заряда и аналоговые линии задержки
Веитап J. D. £., Lamb D. R. Charge-Coupled Devices and Their Applications, McGraw-Hill, 1980.
Einspruch N. G, VLSI Electronics: Microstructure Science, Vol. 5, Academic Press, 1982.
Glaser A, В., Subak-Sharpe G. E, Integrated Circuit Engineering, Addison-Wesley 1977.
Hobson G. S. Charge-Transfer Devices, Wiley, 1978.
Melen R., Buss D. Charge-Coupled Devices: Technology and Applications, IEEE Press, 1977.
Mlllman J. Microelectronics, McGraw-Hill, 1979.
Sequin C. H., Tompsett M. F. Charge Transfer Devices, Academic Press, 1975. Yang E. S. Fundamentals of Semiconductor Devices, Chap. 11, McGraw-Hill, 1978.
Оптоэлектроника
Bar-Lev A. Semiconductors and Electronic Devices, Prentice-Hall, 1984. Barnoski M. K. Fundamentals of Optical Fiber Communications, Academic Press, 1981.
Chapell A. Optoelectronics, McGraw-Hill, 1978.
Elion G. Fiber Optics in Commimications Systems, Marcel Dekker, 1978. Elion G. R., Elion H. A. Electro-optics Handbook, Marcel Dekker, 1979. Gagliadi R. H., Karp S. Optical Communications, Wiley, 1975. Herman M. A. Semiconductor Optoelectronics, Wiley, 1980. Howes M. J., Morgan D. Optical Fiber Communications, Wiley, 1980. Kao C. K- Optical Fiber Systems: Technology, Design, and Applications, McGraw-Hil), 1982.
Kuecken J. A. Fiberoptics, TAB Books, 1980.
Lenk J. D. Handbook of Electronic Circuit Designs, Prentice-Hall, 1976. Melen R., Buss D. Charge-Coupled Devices; Technology and Applications, IEEE Press, 1977.
Miller S. E., Chynoweth A. G. Optical Fiber Telecommunications, Academic Press, 1979.
Mims F. M. Light-Beam Communications, Howard M, Sams, 1975.
Pankove J. I. Optical Processes in Semiconductors, Prentice-Hall, 1971.
Seippel R. G. Optoelectronics, Reston, 1981.
5ге S. M. Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 1969.
Wolf H. F. Handbook of Fiber Optics; Theory and Applications, Garland, 1979.
Другие ИС специального назначения
Fitchen F. Electronic Integrated Circuits and Systems, Van NoJrand Reinhold, 1970.
Grebene A. B. Analog Integrated Circuit Design, Van Nostrand Reinhold, 1972.
(Имеется перевод: Гребен A. Б. Проектирование аналоговых интегральных
схем, - М.- Энергия, 197В.) Lenk J D Manual for Integrated Circuit Users, Reston, 1973. Mindl M. Solid State Circuit Design Us.-rs Manual, Chap. 6, Reston, 1977.
приложения
А. Физические постоянные, коэффициенты преобразования, параметры
Ангстрем А
Постоянная Болыщана k
Заряд электрона q
Микрометр мкм Мил
Нанометр нм Диэлектрическая проницаемость е,, вакуума
Магнитная проницаемость ва- Цо куума
Постоянная Планка h
Тепловое напряжение Vt
Скорость света в вакууме с
1 А= 10-* мкм= 10-8 10-10 и
1,380-10-23 Дж/К= 8,62.10-ь эВ/К
- 1,602-10-1» Кл 1 мкм = Юв м = 10"* см = 10 ООО А 1 мил = 0,001 дюйма = 25,4 мкм 1 нм = 10"» м = Ю"» мкм = 10 А 8,854.10-1* ф/см
4я. 10"» Гн/см
6,625-10-3* Дж-с kTfq =
-= 25,85 мВ при 300 К (27 "С) 2,998-101» см/с
Кремний | Германий | GaAs | |
Диэлектрическая постоянная е. | 11,8 | 16,0 | 10,9 |
(относительная проницае- | |||
NOCTb) | |||
Ширина запрещенной энергети- | 1,11 | 0,67 | 1,43 |
ческой зоны Eq при 300 К, эВ | |||
Подвижность электронов, р„ | 1350 | 3900 | 8500 |
при 300 К, см/В-с | |||
Подвижность дырок Рр прн гОО К, cmVB-c | 500 | 1900 | |
Концентрация носителей, П( при | 1,4 !№» | 2,1-1012 | 1,1-10? |
300 К, см-з | |||
Скорость электрона в насыще- | 0,8-10 | 0,6-10 | 2-10 |
нии usAT, см/с | 2-103 | ||
Насыщенность электрического | 2-10* | 3-103 | |
поля £ьдт. В/см |
S103
Б. Проводимости транзистора
Б.1. Проводимости биполярного транзистора. Для биполярного транзистора, работающего в активном режиме (переход эмиттер-база открыт, а переход коллектор-база закрыт), токи,
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 [ 185 ] 186 187 188 189 190 191 192 193