с малым

током смещения

....

- ••

о S К

иа биполярных транзисторах

на транзисторах со сверхвысоким значением 3

Параметры *

1 Si

oo n о я it4 о

« 3 я

Р g S

<о D

< 2

Входное сдвига, мВ

напряжение

Макс.

Входной ток сдвига, нА

»

0,15

Входной ток нА

смещения.

»

Усиление по В/мВ

напряжению.

Мин.

Рабочий диапазон напряжений питания, В

»

Макс.

±5,0 ±22

±1,2 ±18

±5,0 ±20

±5,0 ±20

±5,0 ±20

Полоса единичного усиления, МГц

Тип.

Скорость

ОС= 1

нарастания, В/мкс

ОС=-1 /Сос=10

»

6,0 6,0

0,1 0.1

6,0 2,0

Диапазон входных напряжений, В

Макс.

±15

±15

±15

±15

±15

Дифференциальное входное напряжение, В

»

±30

±30

±30

±0.5

±0,5

Дрейф входного напряжения сдвига, мкВ/°С

Тип. Макс.

3.0 15

3,0 15

1.0 5,0

Балансировка

нуля

Защита выхода от короткого замыкания

Коррекция

Рабочая температура, "С

Коэффи-

1 вх. сдв I

нА (макс.)

мни.

макс.

циент усиления К. В/мВ (мнн.)

«вх- 0« (мин.)

расе мВт

/б. иА (макс.)

709А

+ 125

350 к

709B

+ 125

150 к

709С

50 к

1500

739С

>

37 к

1000

2000

741 в

+ 125

300 к

741С

150 к

747B )

+ 125

300 к

747С

ISO к

748B

+ 125

300 к

748С

+ 70

150 к

749B )

.-55

+ 125

749С )

70 к

1000

800B

+ 125

250 к

1000

800D

+ 125

2000

801В

+ 125

250 к

1000

801D

+ 125

2000

+ 125

500 к

8U6G

+ 100

1000

806B

+ 125

+ 100

1000

85?ё

+ 125

808А

+ 125

25

808B

+ 125

809B

+ 125

809С

+ 100

1000

810B <

+ 125

810С

+ 100

10О0

715B

+ 125

1 М (тип.)

715С

1 М (тип.)

1000

846B

+ 125

846С

15 М

LM101A

+ 125

1,5 М

LM.101B

+ 125

300 к

LM201A

1,5 М

LM201C

300 к

LM30IA

500 к

LM307

500 к

811B

+ 125

811С

+ 100

1000

813С

2000

5000

819B

+ 125

841 в

+ 125

84IC

+ 100

150 к

844B

+ 125

844С

15 М

LM107B

+ 125

1,5 М

LM207C

1,5 М

МС1437С )

50 к

1500

MCI439C

1000

MCI458C )

150 к

MC1537B •)

+ 125

150 к

MC1539B

+ 125

MC1558B )

+ 125

300 к