Запорожец  Издания 

0 [ 1 ] 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106

базу (Б). В большинстве применений источник сигнала управляет относительно слабым током базы /б. Изменяющийся базовый ток /б управляет в свою очередь намного большими токами коллектора /к или эмиттера h-


в прп-транзисторе между двумя yvact-.лами полупроводнина п-типа содержится участок полупроводника с р-типом проводимости


в обоАначении прп-транзис-тора стрелка выходит из эмиттера


Sрпрп?ранзисторе л/ежду дву/в у/аст-кани полупровоунина р-типа содержится i/vacmov с n-munoflf проводимости


Б обозначении рпр-транзис-тора стрелка входит в эмиттер

Фиг. 1.1. Схемы включения биполярных транзисторов.

На фиг. 1.1 показаны схемы включения транзисторов с соответствующим образом выполненным смещением. Термин смещение означает подачу на выводы транзистора соответствующих



ПОСТОЯННЫХ напряжений, необходимых для его работы. Как показано на фиг. 1.1, в транзисторах прп-типа коллектор имеет положительное смещение относительно эмиттера, тогда как в рпр-транзисторах это смещение отрицательное. В любом случае в схемах при- или рпр-типа база-эмиттерный переход полупроводников р- и «-типа проводимости смещается прямо. Это означает, что напряжение прикладывается с такой полярностью, которая позволит току /б проходить через переход база -эмиттер. Величина /g определяется значениями Е, V, Rs и R.

Прохождение базового тока вызывает появление коллекторного тока /к, величина которого приблизительно в 3") или Лл-е раз больше тока базы. Таким образом,

/кР/б, (1.1)

hhpEh, (1.2)

где р или hpE - значения, указываемые обычно в паспорте на транзистор. В современных транзисторах обычно имеют значения от 40 до 200. Таким образом, ток базы /б меньше коллекторного тока /к в 40-200 раз.

Заметим, что в схемах с транзистором прп-типа (фиг. 1.1) токи /б и /к втекают в транзистор, в то время как /э вытекает из него. В схемах же рпр-типа /б и /к вытекают из транзистора, тогда как /э втекает в него. Из закона Кирхгофа для токов следует

/э = /к + /б. (1.3)

Поскольку /к обычно намного больше h, базовый ток h часто считают пренебрежимо малым по сравнению с /к и h. Поэтому уравнение (1.3) можно упростить:

/э/к. (1.4)

Изменение входного напряжения Уг в любой из схем, показанных на фиг. 1.1, будет вызывать изменение h, что в свою очередь вызовет изменение тока /ц, проходящего через R. Таким образом, падение напряжения на и выходное напряжение Vk также будут изменяться. Обычно изменения выходного напряжения Vk намного превышают изменения Уг, а это значит, что даннуе схемы обладают способностью к усилению по напряжению, которое обозначается Ке-

) Коэффициент усиления по току транзистора р приблизительно равен его hpE, где h указывает на то, что это гибридный параметр, F - что это коэффициент прямой передачи тока, а Е - что схема имеет общий эшттер. Прописные буквы в индексе Hfe означают, что это параметр по постоянному току, или коэффициент усиления по постоянному току.



Полевой транзистор (ПТ) в отличие от биполярного потребляет от источника сигнала Уг пренебрежимо малый ток и поэтому является прибором, управляемым напряжением. Он имеет три вывода: исток (И), сток (С) и затвор (3). На фиг. 1.2 показаны схемы смещения ПТ. Изменение напряжения между затвором и истоком вызывает изменение токов стока /с и истока /и. Таким образом, изменения входного сигнала Vr приводят к изменениям напряжения затвор - исток Уз-и, которое в свою


"1


а б

Фиг. 1.2. Схемы включения полевых транзисторов, с-л-каналыюго; 6-р-каналыюго.

очередь изменяет /с, падение напряжения на Rc и выходное напряжение Увых. Отношение изменения тока стока /с к изменению напряжения затвор - исток Vs-r является крутизной) характеристики полевого транзистора t/js, т. е.

(1.5)

Поскольку ПТ имеет очень большое входное сопротивление со стороны затвора, то через последний протекает пренебрежимо малый ток, и поэтому токи стока и истока фактически равны, т. е. /с = /и. Усилители на ПТ способны усиливать напряжение, но в меньшей степени, чем схемы на биполярных транзисторах. Полевые транзисторы применяются там, где важно иметь высокое входное сопротивление, как это требуется, например, в некоторых схемах дифференциальных и операционных усилителей.

*) Крутизна характеристики полевого транзистора, которая называется иногда также проводимостью прямой передачи, имеет несколько обозначений:

ytB, gU, gm, g2l и т. д.



0 [ 1 ] 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106