 |
 |
 |
 |
ние некоторых полупроводников уменьшается в десятки раз, что приводит к соответствующему увеличению тока в цепи.
тт , лиса
Чувствительность фоторезисторов измеряется в-- при
напряжении 1 s и в лучших высокочастотных типах (ФС-А1)
достигает 400-500
мка лм
Устройство фоторезисторов. Фоторезистор представляет собой изоляционную пластину с двумя группами электродов, между которыми наносится светочувствительный слой - полупроводник (рис. 36, а и б). Условное обозначение фоторезисторов приведено на рис. 36, б. При включении фоторезистора в цепь (рис. 36, г) возникает некоторый ток, называемый темповым. Если на чувствительный элемент направить пульсирующий световой поток, со-
На Bxoff усилителя
Рис. 36. Фоторезистор:
а - схема устройства, б - внешний внд ФС-А1, в - условное обозначение, г - схема включения; / - светочувствительный слой, 2 - изолятор, 3 - электроды
противление полупроводника меняется с частотой пульсации и на /?н возникает пульсирующее падение напряжения, которое подводится к исполнительному механизму или поступает на вход усилителя.
Фоторезисторы благодаря своей простоте и высокой чувствительности являются перспективными фотоэлектрическими приборами, но в настоящее время даже лучшие их образцы имеют ряд недостатков: инерционность (плохие частотные свойства), зави-симо*сть тока от температуры и старение. Указанные недостатки ограничивают возможность применения фоторезисторов в технике звукового кино.
§ 15. Полупроводниковые фотоэлементы
Фотоэлементы с фотогальваническим эффектом, или полупроводниковые фотоэлементы, широко применяют в схемах автоматики, фотоэкспонометрах и для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую (солнечные батареи).
Фотогальваническим эффектом называется возникновение э. д. с. между полупроводником и металлом (или между двумя разными полупроводниками) под действием света. Рассмотрим устройство фотоэлемента с фотогальваническим эффектом.
На стальной электрод 3 (рис. 37) с тонким слоем полупроводника (кремния, селена) нанесен очень тонкий полупрозрачный слой металла /.
Под действием термической обработки между полупроводником и металлом образуется запирающий слой 2, обладающий од-
Рис. 37. Полупроводниковый фотоэлемент:
а - устройство, б - условное обозначение; / - полупрозрачный слой металла, 2-запчрающгй слой, 3 - стальной электрод, 4 - полупроводник, 5 - световой поток
посторонней проводимостью. Световой поток, падая на полупроводник, освобождает из его атомов электроны, которые, проходя через запирающий слой, заряжают полупрозрачный слой металла (электрод) / отрицательно. Сам полупроводник заряжается положительно. Следовательно, между металлическими электродами 1 и 3 возникает разность потенциалов. Если замкнуть внешнюю цепь, по ней потечет ток, величина которого будет пропорциональна падающему световому потоку.
Полупроводниковые фотоэлементы можно применять в низкочастотных схемах с частотой следования не более 100 и.мпуль-сов в секунду.
Контрольные вопросы
1. Объяснить назначение и перечислить типы фотоэлектрических приборов.
2. Перечислить виды фотоэлектрического эффекта и пояснить сущность каждого из них.
3. Объяснить устройство и принцип действия электровакуумных фотоэлементов.
4. Сформулировать основной закон фотоэлектронной эмиссии.
5. Что называется катодом и анодом фотоэлемента?
6. Объяснить устройство и принцип действия фотоэлектронного умножителя.
7. Что называется фотоэлектронной эмиссией и вторичной эмиссией?
8. Какими данными характеризуется фотоэлектронный умножитель?
9. Что называется чувствительностью, в каких единицах она измеряется и какова средняя величина чувствительности фотоэлектрических приборов?
10. Что называется спектральной чувствительностью и рабочим напряжением?
11. Как осуществляется выравнивание чувствительности фотоэлектронных умножителей на двухпостных установках?
12. Перечислить основные технические характеристики ФЭУ-1 и ФЭУ-2.
13. Перечислить и объяснить правила эксплуатации фотоэлектронных умножителей.
14. Объяснить устройство и принцип действия фоторезисторов.
15. Объяснить устройство и особенности полупроводниковых фотоэлементов.
16. Изобразить условные обозначения фотоэлектрических приборов.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100