Запорожец  Издания 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 [ 61 ] 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193

h = losi. - Vgsi/Rz, a ток Д - формулой /j = - l/~ - - Vos 2- Vosi)/Ri- В обычном случае, когда 1/+ - V" > i/g, последнюю формулу можно упростить: /j « (V* - У~)/.


Рнс. 3 21 Источник тока на МОП-транзисюрах, слабо зависящий от напряжения питания. V- V-

Изменение /о по отношению к изменению напряжения питания (V+ или V~) имеет вид

dio dio dVesi

dVosi 1 1

R2 gy,i Ri

Для gfsi имеем

g/si = 2X iVosi - Vt) = 2/i/(l/osi - Vt) « « 2 (V- - - Vt) Ri,

так что dlo/dV можно теперь представить в виде

dip 1 {Ves-U)Ri 1 Vos ~ Vj

dV+ 2(l/+-F-) Ri 2R{V+-V-)

Относительное изменение /о связано с относительным изменением напряжения питания следующим образом:

1 Vosi -Vt dV* (3 50)

(3.56) (3.57)

(3.58) (3.59)

dip „. Vos-Vt Ip 2R,

V+ - V- lo

2Vasi



Напоимер, пусть У( = 1 В и Vgs == 2 В. Для ЭТ1-"..„„ч.. « (1/4) dVliV - V-). Если = +10 В и Г

этих значений получаем dio/h

J. 10 В, то изменение 1/+ на 1 В (или У~ на -1 В) вызовет изменение /о только на 1,25 %.

Источники тока на МОП-транзисторах в режиме обеднения, МОП-транзисторы в режиме обеднения можно использовать в качестве стабилизаторов тока, подобно полевым

Рис. 3.22. МОП-транзисторы в режиме обеднения, используемые в качестве стабилизаторов тока: а - источник тока отрицательной полярности на МОП-транзисторе в режиме обеднения; б - источник тока на МОП-транзисторе в режиме обеднения.

транзисторам с управляющим рп-переходом. На рис. 3.22, а показан пример источника тока отрицательной полярности на МОП-транзисторе в режиме обеднения. Выходная проводимость go этого источника тока равна динамической проводимости транзистора между стоком и истоком gds- Для примера используем следующие значения: Iss = ЮО мкА, Ур = -4 В, Уд = 80 В, = 40 В и У" = -10 В. Выходной ток равен /о = /два = 100 мкА. Динамическая выходная проводимость вычисляется следующим образом:

° dVo ~ - ~-yj-

100 мкА 80 В

= 1,25 мкСм. (3.61)



Нестабильность по току равна

/о dVo

100% = 100%/1/л = 1.25 %/В.

(3.62)

Диапазон линейного изменения напряжения составляет от -6 до +40 В.

На рис. 3.22, б показан МОП-транзистор в качестве источника тока. Во многих ИС основой МОП-транзистора

Vgj о-г Оа

ViO--Г Q

-0V.

ViO-

♦iO-

-0В2

-0V„

-04»

Рнс. 3.23, Схемы активной нагрузки: а - прп-транзистор-усилитеяь - актив ная нагрузка - рлр-источник тока; б - усилитель на МОП-транзисторе с каналом л-типа - нагрузка на МОП-транзисторе с каналом и-типа; - усилитель на МОП-транзисторе с каналом «-типа - активная нагрузка -чг источник тока иа МОП-транзисторе с каналом л-типа в режиме обеднения; г

КМОП-структура,



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 [ 61 ] 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193