Запорожец  Издания 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 [ 181 ] 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193



о, Q,


Рис. 8.19. Схема логарифмически-экспоненциального умножителя-делителя

Vv О-VM-1 1

Vr о-VWf

VyO-


Рис, 8,20, Схема четырехквадрантного умножителя.




Рис, 8.21, Одноквадраитный делитель.

"1 II.

VxO-VM-О


Рис. 8.22. Схема извлечения квадратного корня.



8.10. Температурные датчики на основе ИС

Полупроводниковые приборы очень чувствительны к темпера, туре. Обычно чувствительность к температуре является недосгат-ком полупроводниковых приборов, но, с другой стороны, это свойство можно успешно использовать при создании полупроводникового температурного датчика. В основе работы большинства интегральных температурных датчиков лежит температурный коэффициент напряжения база-эмиттер Vbe транзистора.

Полупроводниковая ИС - температурный датчик может ра-ботать, как источник напряжения с выходным напряжением, которое прямо пропорцтюнально абсолютной температуре. Типичная чувствительность таких датчиков лежит в диапазоне от 1 до 10 мВ/К. Наряду с этим существуют и интегральные температурные датчики, которые работают как источники тока, причем выходной ток прямо пропорционален абсолютной температуре, а чувствительность и.меет типичное значение около 1 мкА/К,

8.11. Интегральные датчики магнитного поля

ИС могут быть использованы в качестве датчиков магнитного поля, работа таких ИС основана на эффекте Холла. Эффект Холла заключается в отклонении заряженных носителей в магнитном поле, в результате чего создается падение напряжения иа полупроводниковой пластине в направлении, перпендикулярном приложенному напряжению. Это поперечное напряжение (или напряжение Холла) возникает вследствие действия поперечной силы на свободные электроны и дырки, движущиеся в магнитном поле, а его величина примерно пропорциональна напряженности магнитного ноля.

Существующие датчики магнитного поля содержат на одном кристалле кремния датчик на основе эффекта Холла (схему Холла) и усилите 1ь. Чувствительность этих схем обычно около 1 мВ/Гн. Датчики можно использовать непосредственно для измерения напряженности магнитного поля, однако чаще всего их используют в качестве датчиков ориентации или движения.

8.12. ИС-датчики давления

При движении электронов и дырок в полупроводнике имеет место достаточно сложное взаимодействие между свободными за ряженными носителями и атомами кристаллической решетки Самые незначительные изменения в пространственном располо женин атомов могут привести к значительному изменению подвижности заряженных носителей, а следовательно, и электрн ческого сопротивления вещества. Изменение электрического со



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 [ 181 ] 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193